中科院上海微系统所

石墨烯/六方氮化硼平面异质结研究获进展

本报讯（记者黄辛）中科院上海微系统与信息技术研究所研究员谢晓明团队采用化学气相沉积（CVD）方法成功制备出单原子层高质量石墨烯/六方氮化硼平面异质结，并将其成功应用于WSe2/MoS2二维光电探测器件。相关研究成果日前发表于《先进科学》。

石墨烯和六方氮化硼（h-BN）结构相似但电学性质迥异。石墨烯/六方氮化硼平面异质结的制备一般采用依次沉积石墨烯和h-BN，或者相反次序来实现，由于后续薄膜形核控制困难以及生长过程中反应气体很容易对前序薄膜产生破坏，因而目前文献报告石墨烯/六方氮化硼平面异质结的质量不尽如人意。

研究人员基于铜镍合金衬底生长高质量h-BN和石墨烯薄膜的研究基础，通过先沉积h-BN单晶后生长石墨烯，成功制备了高质量石墨烯/h-BN 平面异质结。同时，该课题组与美国莱斯大学教授合作，以石墨烯作为接触电极，h-BN 作为绝缘衬底，制备了WSe2/MoS2二维光电探测器，验证了石墨烯/h-BN平面异质结的质量和电学性能，为基于该异质结材料平台开展基础研究和二维逻辑集成电路应用探索提供了基础。