王曦院士：感知信息技术提供弯道超车机遇

为贯彻落实习近平总书记4月19日在网络安全与信息化工作座谈会及10月9日在中央政治局第36次集体学习时重要讲话精神，10月26日，由工业和信息化部电子信息司、中国科学院信息技术科学部主办的“信息科技与经济发展”技术科学论坛在北京成功举办。会上，中国科学院院士王曦提出了一个观点，他说，感知信息技术提供弯道超车机遇。

王曦表示，以移动互联网、物联网、云计算、大数据、人工智能等为代表的信息技术加速创新、融合和普及应用，一个万物互联智能化时代正在到来。感知信息技术以传感器为核心，结合射频、功率、微处理器、微能源等技术，是未来实现万物互联的基础性、决定性核心技术之一。感知信息技术领域将催生出万亿级的市场，调研数据显示，2020年全球物联网设备市场预计将达到2200亿美元，主要涉及消费电子、医疗、汽车、物流等产业。物联网的发展为传感器带来了新一波增长，传感器也在汽车、智能手机以及物联网中广泛应用。

值得一提的是，感知信息技术不同于传统的计算和通信技术，无需遵循投资巨大、风险极高、已接近物理极限的传统半导体的“摩尔定律”，而是在成熟半导体工艺上的多元微技术融合创新，即“More than Moore”(“超越摩尔”)。PC时期Wintel联盟垄断了整整二十年，移动互联网时期ARM+安卓又形成了新一轮垄断，那么在感知时代，“超越摩尔”是我国打破垄断束缚的难得历史机遇，如果加大在此领域的扶持力度，充分发挥已有的半导体产业基础和市场优势，有很大可能在未来智能时代实现赶超发展，抢占产业竞争制高点。因此，我们要重视发展感知信息技术，抢占未来智能时代制高点。

王曦认为，在物联网时代，我国在半导体技术热点中，有弯道超车的机会。例如，与FinFET相比，FDSOI技术存在一定的优势，其成本更低且能延长28nm技术节点的寿命，而且其低压低功耗的特点使用于可穿戴、物联网等新兴领域，FDSOI技术我们应该足够重视。中国科学院上海微系统所及其孵化的企业在过去20多年里一直推动FDSOI技术发展，积极从材料、制造、设计全方位探讨我国发展12英寸FDSOI产业实现弯道超车的战略计划。除了FDSOI以外，硅光子集成技术也具有很好的发展前景，我国已启动了“硅光子行动计划”。另外，在先进存储器技术方面，MRAM值得关注。日本存储界预计，MRAM在2020年将达到900亿美元。MRAM在物联网终端产业中应用前景广阔，因为其拥有非易失性、随机存储和逻辑兼容性等特点，通过简化数据传输能够大幅降低物联网终端的功耗和尺寸，通过简化系统，能够大幅降低硬件和软件的开发成本，将在智能家居、可穿戴式设备、医疗、娱乐、汽车等领域大有可为。MRAM应该成为我国在常规存储器规模化的基础上，下一代先进存储器的一个技术选项。