大连理工大学教授黄辉团队研发出无漏电流纳米线桥接生长技术，制备出高可靠性（8个月电阻变化率<0.8%）、低功耗（可室温工作）及高灵敏度（NO2检测限0.5ppb）的GaN纳米线气体传感器，实验结果近日发表在《纳米通讯》上。
目前，半导体集成电路芯片（IC）发展迅猛，如果把IC比作人的大脑，传感器则相当于的人的感知器官，二者相互依存。但是目前传感器特别是可集成微纳传感器的发展程度，远远滞后于IC的发展水平。
研究人员首次研究了纳米线桥接生长中的寄生沉积效应，发明了一种结合气流遮挡效应与表面钝化效应的桥接生长方法，解决了寄生沉积问题；首次实现了无漏电流的GaN桥接纳米线，在此基础上研制出高稳定性、低功耗、高灵敏度的集成纳米线气体传感器，解决了纳米线器件的排列组装、电极接触及材料稳定性问题。GaN材料是第三代半导体，具有耐高温、抗氧化、耐酸碱腐蚀的稳定性和生物兼容性，适用于严酷环境下的应力应变以及液体和气体样品的检测（实验证明氢氟酸腐蚀48小时未对GaN纳米线产生影响），应用领域广泛。（来源：中国科学报 刘万生 姚璐）
相关论文信息：DOI:10.1021/acs.nanolett.8b04846
