韩企加速抢占高带宽存储器市场

科技日报讯 （记者薛严）当地时间3月18日至21日，在美国圣何塞举行的英伟达年度开发者会议“GTC 2024”上，韩国半导体企业全面展示了第五代HBM（高带宽存储器）产品，瞄准人工智能（AI）半导体用内存市场展开激烈竞争。

英伟达在“GTC 2024”中推出新一代AI半导体产品“Blackwell”，性能较现有产品大幅提升，使其在AI半导体领域的领导地位得到进一步巩固。由于SK海力士目前独家向英伟达供应HBM3产品，在HBM产品竞争中处于主动地位。此次SK海力士在“GTC 2024”开幕之际即宣布正式量产HBM3E（即第五代HBM）相关产品并最先向英伟达供应，以达到先声夺人的效果。

英伟达首席执行官黄仁勋在会议期间前往三星电子展位，在其展出的HBM3E产品上留下签名，并表示“目前正在测试三星电子的HBM产品，期待很高”，三星电子股价短时间内大幅提升。三星电子于2023年12月新设存储器产品企划室，重点负责包括HBM产品在内的相关技术动向分析和产品市场化、技术支援等，为拓展AI半导体用内存市场作长远打算。

在韩国主要半导体企业身后紧紧追赶的是美国存储器企业美光。美光于3月20日公布2023年12月至2024年2月公司业绩，显示其产品正式进入英伟达供应链。其24GB 8H HBM3E产品将供货给英伟达，并将应用于英伟达H200 Tensor Core GPU。