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近日，索尼和镁光公司宣布其研发小组开发出高速、大容量ReRAM（可变电阻式存储器），该类型存储器填补了DRAM与NAND之间的性能鸿沟，有望提高整体系统性能。
新产品的容量为16Gbit，超过了目前的DRAM，而且具备超过NAND闪存的高速性。数据传输速度在读取时为1GB/秒，写入时为200MB/秒，访问等待时间在读取时为2μs，写入时为10μs。采用1GB/秒的DDR接口以及与DRAM接近的8存储体储存器架构，通过并联运行实现了高速化。
据悉，电阻变化元件采用CuTe膜和绝缘膜的双层构造，通过铜离子的移动在元件内部形成导电桥来改变电阻值。储存器单元由一个选择晶体管和电阻变化元件构成。采用27nm工艺、3层铜布线技术制造，单元面积为4374nm2，芯片面积为168mm2。（黄敏聪整理）
《中国科学报》 (2014-04-08 第7版 制造)
