Dry Lithography of Large-Area, Thin-Film Organic Semiconductors Using Frozen CO2 Resists (Adv. Mater. 46/2012)
图评：很简单精炼的设计，没有用任何的修饰，也没有用任何的比喻。基本材料和一片掀开的表层材料。如果说科学图像的目标是陈述一段事实，那这个图像非常符合陈述的标准。图形学的发展让图形图像软件越来越简单易用，软件的普及让艺术创作的工具变的唾手可得，也让很多人跃跃欲试。相对于其他的图像来说，这张图像是理工科学生，非艺术专业人员最容易学习到的，简单的结构，简单材质，只需要寻找一个适当的构图就可以完成一张封面作品。（服务科学家资源平台供稿）
Frozen carbon dioxide can be used as a phase-change resist to perform dry lithography of organic thin films, as shown by Matthias E. Bahlke and co-workers on page 6136. The resist sublimes closest to the surface, separating the still-solid resist that in turn lifts off undesired organic material. This new technique will help address the incompatibility of organic semiconductors with traditional photolithography.
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