脉冲强磁场实验装置优化提升项目启动建设

9月27日，脉冲强磁场实验装置优化提升国家重大科技基础设施项目建设启动现场会在华中科技大学举行。

脉冲强磁场实验装置优化提升项目是“十四五”国家规划建设的重大科技基础设施。项目总体建设目标是建设性能参数领先、功能完善的多时空超强脉冲强磁场实验设施，为物质科学、 及强电磁工程科学领域的多学科交叉研究提供公共开放的极端实验条件，支撑前沿基础科学研究领域持续产出重大原始创新成果，建成全球规模最大、具有重要国际影响力的脉冲强磁场科学中心。

脉冲强磁场实验装置是我国“十一五”期间规划建设的十二项重大科技基础设施之一，于2007年1月由国家发改委批准华中科技大学建设，国家批复建设经费为1.3385亿元。装置于2008年4月开工，2013年10月建成，2014年10月通过国家验收并对正式外开放运行。此前，华中科技大学是教育部高校中率先拥有两个大科学装置并通过验收的高校，另一个大科学装置为精密重力测量国家重大科技基础设施。

脉冲强磁场实验装置创造了64T脉冲平顶磁场等多项脉冲磁场参数世界纪录，累计为北京大学、清华大学、中科院物理研究所、哈佛大学、剑桥大学、德国德累斯顿强磁场实验室等117家国内外科研单位开展实验1585项，发表论文1283篇，取得了包括发现对数周期量子振荡、最高临界电流密度二维超导体等系列重要成果，先后获2018年湖北省科技进步特等奖、2019年国家科技进步一等奖。

据悉，项目将在一期已有基础上，围绕磁场参数提升、测量手段丰富和研究领域拓展三方面，瞄准物质科学、 以及强电磁工程科学领域的重大科学问题，进行脉冲强磁场实验装置的优化升级和功能扩展，主要建设内容包括研制110T超强磁场、70T平顶脉冲磁场和9.4T超导脉冲复合磁场，升级和新建超强磁场综合物性、电输运、磁特性、磁光、磁热、固态核磁共振谱、强磁场扫描隧道谱、生物磁共振、大功率太赫兹谱、材料形性调控等10类实验测试系统，建设样品制备表征、低温及真空研制、数据存储分析、磁体研制测试等4个中心在内的设施支撑基础平台，以及配套的土建、公用设施等。

项目建设周期5年，总投资约21.385亿元，建设地点在华中科技大学东校区，紧邻一期，占地面积约为36.7亩，总建筑面积47000平方米。