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聚噻吩主链垂直于基底生长成功实现
 论文作者:杨小牛等      期刊:《先进材料》     发布时间:2008-1-7 17:55:24 小号字 中号字 大号字

 
在国家自然科学基金委和中国科学院的支持下,中国科学院长春应用化学研究所高分子物理和化学国家重点实验室杨小牛课题组通过使用可控溶剂气氛处理的方法成功制备出由聚噻吩平躺片晶构成的大面积均匀薄膜,其中聚合物主链垂直基底取向,相关工作发表在国际著名杂志德国《先进材料》(Adv. Mater. 2007, 19, 3594-3598)上。
 
作为一种具有广阔应用前景的新型半导体材料,共轭聚合物以其突出的优点廉价的溶液可加工性受到学术界和工业界的广泛关注。结晶性共轭聚合物由于规整的堆砌结构具有更优异的光电性能,其中聚(3-烷基)噻吩在聚合物场效应管和光伏电池等薄膜光电器件中有巨大的应用前景。在此之前,英国剑桥大学卡文迪什实验的研究小组报导了聚噻吩晶体中分子主链的两种取向方式(Nature 1999,401,605),即侧立(edge-on)和平躺(plane-on)。就这两种取向而言,侧立方式的结晶度较高,因此其相应的器件性能也较好。而该实验室研究人员通过可控溶剂退火的方式获得了最难获得的第三种取向方式,即分子链直立于薄膜取向(flat-on),相应的晶体尺寸也获得了很大的提高,特别是垂直于薄膜的方向,为克服该方向上电荷难以传输的难题提供了一种有效的解决途径。这一方法有望在聚合物太阳能电池等尤其在薄膜纵向上迁移率有较高要求的器件中获得应用。
 
该工作发表以后,引起了世界范围内的广泛关注,据先进材料杂志的统计,该文章的点击率在其发表的2007年11月份排名第2。(来源:中科院长春应用化学研究所)
 
(《先进材料》(Advanced Materials),Volume 19, Issue 21 , Pages 3594 - 3598,G. H. Lu, L. G. Li, X. N. Yang)
 
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