储存环成功实现束流存储流强超过10 毫安

高能同步辐射光源加速器调束进入快行道

记者从中国科学院高能物理研究所获悉，8月18日，高能同步辐射光源（HEPS）储存环流强达到12毫安，这是HEPS建设的又一重要里程碑，标志着HEPS加速器进入了调束快行道。

HEPS是我国及亚洲首台第四代同步辐射光源，也是全球首批10皮米弧度量级自然发射度的光源之一，其核心是一台具有极低发射度的全新储存环加速器，物理设计极具挑战性。

“为了实现国际一流的加速器及光源整体性能，磁铁、电源、真空、注入、机械、准直、高频、束测、控制、定时、插入件等硬件指标要达到第四代光源的高标准和高要求。调束初期，储存环就有1776块磁铁，2500余台电源，578个电子束流位置探测器，1360米真空室，3个高频腔，2台脉冲冲击器和切割磁铁，控制信号超过10万路，任何一个微小的硬件错误，例如一个硬阻拦或设备安装错位，都会影响电子束的轨迹，另外，HEPS与众不同，它有注入和引出两块切割磁铁，垂直物理孔径仅两三个毫米，对调束来说，这无疑是一个巨大的挑战”。HEPS工程总指挥、中国科学院高能物理研究所研究员潘卫民说。

经过5年的建设，今年7月1日HEPS储存环完成全部设备研制和安装，启动多系统联合调试，随后加速器物理与各硬件系统交叉协作，完成磁铁极性测试、硬件远控测试、调束软件-硬件测试等加速器联合调试。此外，为了应对超低发射度储存环首圈调束可能面临的各种挑战，加速器物理与束测系统基于增强器开展了大量的束流实验，为储存环调束监测手段做了充分准备。

“储存环成功实现束流存储是一项重大进展，这表明我们前期的设备安装、调试非常成功，也标志着HEPS光源进入了一个新的阶段。”潘卫民说。

HEPS科学技术委员会主任、储存环调束总顾问陈森玉院士说：“HEPS调束团队在很短的时间内就取得了很好的调束成果，可以说几乎没有走一点弯路，表现出色。”

据悉，下一步，HEPS调束团队将提升和优化电子束流流强、寿命等参数，力争尽早为光束线站供光。

HEPS是我国“十三五”期间优先建设的国家重大科技基础设施之一，于2019年6月启动建设，建设周期6.5年。建成后，HEPS可发射比太阳亮度高1万亿倍的光，将是世界上亮度最高的第四代同步辐射光源之一，也将是中国第一台高能量同步辐射光源，使中国继欧、美之后跻身为世界三大第四代高能同步辐射光源所在地之一，将与我国现有的光源形成能区互补，面向航空航天、能源环境、生命医药等领域用户开放。